Matiere

Faut-il sauter des pages dans le syllabus?

Malheureusement non, il a tout vu...

C'est abusé qu'il ait tout vu... C'est looooong....
La première partie est simple et les 2 derniers chapitres plus compliqués, particulièrement le dernier avec la mécanique quantique... Et évidemment les "questions" sont nazes et dures, à chacune des questions on pourrait répondre une page.

Juste pour être sur que je suis dans le bon :

Conductivité du graphite et des nanotubes :

- Basse dans les plans(et dans les tubes) car liaisons cov forte qui ne permettent pas aux électrons de bouger
- Haute entre les plans(et entre les tubes) car force de VdW.

C'est correct ?

J'ai une autre question, dans les slides de matériaux, au slide 21 du premier chapitre, l'isolant et le semi-conduteur sont caractérisé par une BC pleine et une BV vide. Intuitivement je me disais que ca devrait être le contraire non? j'ai été voir sur Wikipedia et il est mis l'inverse des slides!

Help...

C'est bon j'ai trouvé la solution dans les notes...c'est en effet le contraire, le slide est faux.

yes, j'ai vu ca aussi

Petite question pour la conductivité thermique (p.85):

Dans la formule des notes, c'est Q/A=k dt/dx

Dans les slides, c'est Q/A= - k dt/dx

Laquelle est bonne? Pour moi, la première

Confirmation?

Question 11 pourquoi la temperature de cristallisation d'un métal est influencé par la présences d'impuretés ?

Vous savez quoi répondre? Y'as pas vraiment de réponse dans le syllabus

pasque les impuretés sont la source de germination de cristaux je pense

Les impuretes peuvent être à l'origine de la cristallisation...

Mais bon jpense que ca repond pas à la question vu qu'il demande l'influence sur la temperature...

Donc je dirais que les impuretes induisent plus de desordre dans le matériaux qui devient donc plus difficile à cristalliser...

marco a écrit:Les impuretes peuvent être à l'origine de la cristallisation...

Mais bon jpense que ca repond pas à la question vu qu'il demande l'influence sur la temperature...

Donc je dirais que les impuretes induisent plus de desordre dans le matériaux qui devient donc plus difficile à cristalliser...

google me dit ceci:

Code:

"La présence d'impuretés dans un cristal influence la vitesse de croissance (Mullin, 2004). Quand les impuretés sont adsorbées sur un cristal elles peuvent ralentir ou augmenter sa croissance, ou même la stopper complètement. Aussi elles peuvent agir sélectivement sur certaines faces cristallographiques et ainsi changer complètement l'habitus final du cristal"

Je dirais, dans le sens positif:

- Une impureté peut être à l'origine d'une germination
- Les impuretés créent des défauts structuraux, ce qui entraîne plus de rugosité à la surface des germes, et donc croissance plus rapide

Et dans le sens négatif:

- Les impuretés gênent la mobilités des particules et ralentissent la vitesse de relaxation donc la diminution de température doit être encore plus lente pour que la structure cristalline se forment.


Mais en fait, ça a l'air plus compliqué que ça:
http://nte.enstimac.fr/CristalGemme/co/uc_Additifs.html

Quintus a écrit:J'ai une autre question, dans les slides de matériaux, au slide 21 du premier chapitre, l'isolant et le semi-conduteur sont caractérisé par une BC pleine et une BV vide. Intuitivement je me disais que ca devrait être le contraire non? j'ai été voir sur Wikipedia et il est mis l'inverse des slides!

Help...

C'est bon j'ai trouvé la solution dans les notes...c'est en effet le contraire, le slide est faux.

Mais dans les notes y'a aussi une faute non? Dans la figure VII.4 à la page 71. Les niveaux du milieu, qui représentent les isolants, la bande de conduction doit être vide je suppose.

ouep j'imagine, sinon ça rime a rien